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199,570 条型号记录
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2N1480 PBFREE

Central Semiconductor · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 55 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-39-3 封装。
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2N1481 PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、原产国家或地区 马来西亚。
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2N1711 TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-39-3 封装。
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PN918 TRE TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。
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PN6010 TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 500 mV，采用 TO-92-3 封装。
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2N3906-HF

Comchip Technology

该型号为晶体管，主要参数包括组装国家或地区 中国台湾、原产国家或地区 中国台湾。
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2N2102 PBFREE

Central Semiconductor · 封装：TO-39

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-39 封装。
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SE9405 TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-3 (TO-204AA-2)

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-3 (TO-204AA-2) 封装。
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2N2102 TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-39-3 封装。
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2N2195B PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。
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2N2195B TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-39-3 封装。
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2N2219 TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、原产国家或地区 IN、单件重量 0.038801 oz。
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2N2219A PBFREE

Central Semiconductor · 封装：TO-39

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-39 封装。
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TIP50 TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-220-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 500 V，采用 TO-220-3 封装。
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TIP50 PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。
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TIP29A SL TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-220-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 TO-220-3 封装。
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PN5828 PBFREE

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 125 mV，采用 TO-92-3 封装。
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PN918 TRE PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。
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PN918 PBFREE

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 50 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V，采用 TO-92-3 封装。
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PN918 APM TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。
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