ChipSourceHub 美芯科技
English发起询盘

分立与功率器件

按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。

型号列表

199,570 条型号记录
每页 20 条

MMBT8050-TP

Micro Commercial Components (MCC)

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。
查看资料 询价

MMBT5551HE3-TP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国、单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。
查看资料 询价

MMBT5551-13P

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 160 V、集电极－基极电压（VCBO） 180 V，采用 SOT-23-3 封装。
查看资料 询价

MMBT5550-TP

Micro Commercial Components (MCC)

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.000282 oz。
查看资料 询价

MMBT3904L3-TP

Micro Commercial Components (MCC)

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.000028 oz。
查看资料 询价

MMBT3904HE3-TP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SOT-23-3 封装。
查看资料 询价

MMBT2907AHE3-TP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国、单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。
查看资料 询价

MJD44C-TP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：DPAK-3 (TO-252-3)

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 8 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 DPAK-3 (TO-252-3) 封装。
查看资料 询价

MJD41C-TP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：DPAK-3 (TO-252-3)

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 6 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 DPAK-3 (TO-252-3) 封装。
查看资料 询价

MJD32CHE3-TP

Micro Commercial Components (MCC)

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V。
查看资料 询价

MJD31CS-TP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：DPAK-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 3 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 DPAK-3 封装。
查看资料 询价

MJD31CHE3-TP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：TO-252-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-252-3 封装。
查看资料 询价

MJD31C-TP

Micro Commercial Components (MCC)

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.011464 oz。
查看资料 询价

MJD122S-TP

Micro Commercial Components (MCC)

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。
查看资料 询价

BC856BH RFG

Taiwan Semiconductor · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23-3 封装。
查看资料 询价

BC857BWH RFG

Taiwan Semiconductor · 封装：SOT-323-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-323-3 封装。
查看资料 询价

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

芯片型号库｜技术参数与数据手册｜ChipSourceHub 美芯科技