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MMS8550HE3-H-TP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 SOT-23-3 封装。
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MMS8050HE3-L-TP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23-3 封装。
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MMS8050HE3-H-TP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23-3 封装。
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MMDT5551HE3-TP

Micro Commercial Components (MCC)

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。
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MMDT5451-TP

Micro Commercial Components (MCC)

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.000317 oz。
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MMDT5401HE3-TP

Micro Commercial Components (MCC)

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。
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MMDT4413-TP

Micro Commercial Components (MCC)

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。
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MMDT3946V-TP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-563-6

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V, 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V, 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V, 6 V，采用 SOT-563-6 封装。
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MMDT3946HE3-TP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-363-6

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V, 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-363-6 封装。
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MMDT3946-TP

Micro Commercial Components (MCC)

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.000317 oz。
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MMDT2907AHE3-TP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-363-6

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-363-6 封装。
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MMDT2907A-TP

Micro Commercial Components (MCC)

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。
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MMDT2227HE3-TP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-363-6

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-363-6 封装。
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MMDT2227-TP

Micro Commercial Components (MCC)

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.000317 oz。
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MMDT2222AHE3-TP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-363-6

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-363-6 封装。
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MMBTA56HE3-TP

Micro Commercial Components (MCC)

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。
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MMBT945-H-TP

Micro Commercial Components (MCC)

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。
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