UMB1N-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、耗散功率（Pd） 150 mW、增益带宽积（fT） 200 MHz、最小工作温度 - 55 C，采用 SOT-363-6 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录UMB18N-TPQ2
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管。UMB18N-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、耗散功率（Pd） 150 mW、增益带宽积（fT） 200 MHz、最小工作温度 - 55 C，采用 SOT-363-6 封装。UMB11N-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、耗散功率（Pd） 150 mW、增益带宽积（fT） 200 MHz、最小工作温度 - 55 C，采用 SOT-363-6 封装。UMB10N-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、耗散功率（Pd） 150 mW、增益带宽积（fT） 200 MHz、最小工作温度 - 55 C，采用 SOT-363-6 封装。TIP42A-BP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。TIP122S-BP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。SMBT2227A-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。PZTA44-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-223-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-223-3 封装。PZTA42-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-223-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V，采用 SOT-223-3 封装。PZT5551HE3-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 160 V、集电极－基极电压（VCBO） 180 V，采用 SOT-223-4 封装。PZT5551-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 TH。PZT2907AHE3-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管。PZT2907A-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-223-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SOT-223-3 封装。PBHV9050T-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。MS8050-L-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。MMSTA06-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SOT-323-3 封装。MMSTA05-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SO-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SO-323-3 封装。MMST5551HE3-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 160 V、集电极－基极电压（VCBO） 180 V，采用 SOT-323-3 封装。MMST5401HE3-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 160 V，采用 SOT-323-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。