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BCM847BS

Diotec Semiconductor · 封装：SOT-363

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-363 封装。
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BCP51-10

Diotec Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。
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BCP53-10

Diotec Semiconductor · 封装：SOT-223

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-223 封装。
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BCP53-16

Diotec Semiconductor · 封装：SOT-223

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-223 封装。
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BCP53-16-AQ

Diotec Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。
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BCP53-6

Diotec Semiconductor · 封装：SOT-223

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-223 封装。
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BCP55-10

Diotec Semiconductor · 封装：SOT-223

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-223 封装。
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BCP55-16

Diotec Semiconductor · 封装：SOT-223

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-223 封装。
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BCP55-16-AQ

Diotec Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国。
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BCP55-6

Diotec Semiconductor · 封装：SOT-223

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-223 封装。
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BCP56-10

Diotec Semiconductor · 封装：SOT-223

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-223 封装。
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BCP56-10-AQ

Diotec Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国、湿敏性 是。
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BCP56-16

Diotec Semiconductor · 封装：SOT-223

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-223 封装。
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BCP56-16-AQ

Diotec Semiconductor · 封装：SOT-223

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1.5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 SOT-223 封装。
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BCP56-6

Diotec Semiconductor · 封装：SOT-223

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-223 封装。
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BCR08PN-AQ

Diotec Semiconductor · 封装：SOT-363-6

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-363-6 封装。
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BCW66F

Diotec Semiconductor · 封装：SOT-23

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23 封装。
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BCX53-16

Diotec Semiconductor · 封装：SOT-89

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-89 封装。
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BCX53-16-AQ

Diotec Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。
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