BC807-40R13
Diotec Semiconductor · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 700 mV，采用 SOT-23 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录BC807-40W
Diotec Semiconductor · 封装：SOT-323
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 700 mV，采用 SOT-323 封装。BC807-40W-AQ
Diotec Semiconductor · 封装：SOT-323
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 700 mV，采用 SOT-323 封装。BC807-40WR13
Diotec Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-323-3 封装。BC808-16
Diotec Semiconductor · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 700 mV，采用 SOT-23 封装。BC808-25
Diotec Semiconductor · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 700 mV，采用 SOT-23 封装。BC817-25W
Diotec Semiconductor · 封装：SOT-323
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 700 mV，采用 SOT-323 封装。BC817-25W-AQ
Diotec Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。BC817-40
Diotec Semiconductor · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 700 mV，采用 SOT-23 封装。BC817-40-AQ
Diotec Semiconductor · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 700 mV，采用 SOT-23 封装。BC817-40-Q
Diotec Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。BC817-40R13
Diotec Semiconductor · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 700 mV，采用 SOT-23 封装。BC817-40W
Diotec Semiconductor · 封装：SOT-323
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 700 mV，采用 SOT-323 封装。BC817-40W-AQ
Diotec Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。BC817BPN
Diotec Semiconductor · 封装：SOT-26
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-26 封装。BC817K-16
Diotec Semiconductor · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23 封装。BC817K-40-AQ
Diotec Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。BC817K-40R13
Diotec Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。BC818-16
Diotec Semiconductor · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 700 mV，采用 SOT-23 封装。BC818-25
Diotec Semiconductor · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 700 mV，采用 SOT-23 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。