BC546A
Diotec Semiconductor · 封装：TO-92
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92 封装。分立与功率器件
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
199,570 条型号记录BC546ABK
Diotec Semiconductor · 封装：TO-92BK
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92BK 封装。BC546B
Diotec Semiconductor · 封装：TO-92
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92 封装。BC546BBK
Diotec Semiconductor · 封装：TO-92BK
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 TO-92BK 封装。BC546C
Diotec Semiconductor · 封装：TO-92
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92 封装。BC547A
Diotec Semiconductor · 封装：TO-92
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92 封装。BC547ABK
Diotec Semiconductor
该型号为晶体管。BC547B
Diotec Semiconductor · 封装：TO-92
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92 封装。BC547BBK
Diotec Semiconductor · 封装：TO-92BK
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 TO-92BK 封装。BC547C
Diotec Semiconductor · 封装：TO-92
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92 封装。BC547CBK
Diotec Semiconductor · 封装：TO-92BK
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 TO-92BK 封装。BC548A
Diotec Semiconductor · 封装：TO-92
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92 封装。BC548B
Diotec Semiconductor · 封装：TO-92
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92 封装。BC549BBK
Diotec Semiconductor · 封装：TO-92BK
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V，采用 TO-92BK 封装。BC549C
Diotec Semiconductor · 封装：TO-92
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92 封装。BC549CBK
Diotec Semiconductor · 封装：TO-92BK
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V，采用 TO-92BK 封装。BC556A
Diotec Semiconductor · 封装：TO-92
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92 封装。BC556ABK
Diotec Semiconductor · 封装：TO-92BK
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92BK 封装。BC556B
Diotec Semiconductor · 封装：TO-92
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92 封装。BC556BBK
Diotec Semiconductor · 封装：TO-92BK
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92BK 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。