MMBTA92-HF
Comchip Technology · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录MMDT3906-HF
Comchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。MMST2222A-HF
Comchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。MMST2907A-HF
Comchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。BC327-25
Diotec Semiconductor · 封装：TO-92
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 700 mV，采用 TO-92 封装。BC327-25BK
Diotec Semiconductor · 封装：TO-92BK
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 700 mV，采用 TO-92BK 封装。BC327-40
Diotec Semiconductor · 封装：TO-92
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 700 mV，采用 TO-92 封装。BC327-40BK
Diotec Semiconductor · 封装：TO-92BK
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 700 mV，采用 TO-92BK 封装。BC328-16
Diotec Semiconductor · 封装：TO-92
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 700 mV，采用 TO-92 封装。BC328-25
Diotec Semiconductor · 封装：TO-92
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 700 mV，采用 TO-92 封装。BC328-40
Diotec Semiconductor · 封装：TO-92
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 700 mV，采用 TO-92 封装。BC337-16
Diotec Semiconductor · 封装：TO-92
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 700 mV，采用 TO-92 封装。BC337-16BK
Diotec Semiconductor · 封装：TO-92BK
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 700 mV，采用 TO-92BK 封装。BC337-25
Diotec Semiconductor · 封装：TO-92
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 700 mV，采用 TO-92 封装。BC337-25BK
Diotec Semiconductor · 封装：TO-92BK
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 700 mV，采用 TO-92BK 封装。BC337-40
Diotec Semiconductor · 封装：TO-92
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 700 mV，采用 TO-92 封装。BC337-40BK
Diotec Semiconductor · 封装：TO-92BK
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 700 mV，采用 TO-92BK 封装。BC338-16
Diotec Semiconductor · 封装：TO-92
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 700 mV，采用 TO-92 封装。BC338-25
Diotec Semiconductor · 封装：TO-92
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 700 mV，采用 TO-92 封装。BC338-40
Diotec Semiconductor · 封装：TO-92
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 700 mV，采用 TO-92 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。