AS9013-J-HF
Comchip Technology · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录AS9013-L-HF
Comchip Technology · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23-3 封装。BC856BW-HF
Comchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、原产国家或地区 中国台湾。BC857AW-HF
Comchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、原产国家或地区 中国台湾。BC857BW-HF
Comchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、原产国家或地区 中国台湾。BC857CW-HF
Comchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、原产国家或地区 中国台湾。BC858AW-HF
Comchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、原产国家或地区 中国台湾。BC858BW-HF
Comchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、原产国家或地区 中国台湾。FMMT493-HF
Comchip Technology · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23-3 封装。MJD117-HF
Comchip Technology · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 4 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 TO-252-3 封装。MMBT3906T-HF
Comchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。MMBT4401-HF
Comchip Technology · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-23-3 封装。MMBT4403-HF
Comchip Technology · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23-3 封装。MMBT5401-HF
Comchip Technology · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 160 V，采用 SOT-23-3 封装。MMBT5551-HF
Comchip Technology · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 160 V、集电极－基极电压（VCBO） 180 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-23-3 封装。MMBTA05-HF
Comchip Technology · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V，采用 SOT-23-3 封装。MMBTA06-HF
Comchip Technology · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V，采用 SOT-23-3 封装。MMBTA42-HF
Comchip Technology · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 300 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V，采用 SOT-23-3 封装。MMBTA44-HF
Comchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。MMBTA56-HF
Comchip Technology · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V，采用 SOT-23-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。