MPS3721 TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 18 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最小直流电流增益（hfe） 60 at 10 V, 2 mA，采用 TO-92-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录MPS3721 PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 18 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最小直流电流增益（hfe） 60 at 10 V, 2 mA，采用 TO-92-3 封装。MPS3711 TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 TO-92-3 封装。MPS3711 PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 TO-92-3 封装。MPS3708 TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 TO-92-3 封装。MPS3708 PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 韩国、单件重量 0.007266 oz。MPS3706 TRE TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。MPS3706 TRE PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。MPS3706 TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92-3 封装。MPS3706 PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92-3 封装。MPS3706 APM TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。MPS3706 APM PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。MPS3704 TRE TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。MPS3704 TRE PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。MPS3704 TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92-3 封装。MPS3704 PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-92
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92 封装。MPS3704 APM TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。MPS3704 APM PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。MPS3702 TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 250 mV，采用 TO-92-3 封装。MPS3702 PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 250 mV，采用 TO-92-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。