MPS6521 APM TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录MPS6521 APM PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。MPS6519 TRE TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。MPS6519 TRE PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。MPS6519 TRA TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V，采用 TO-92-3 封装。MPS6519 TRA PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V，采用 TO-92-3 封装。MPS6519 TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V。MPS6519 APP TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V，采用 TO-92-3 封装。MPS6519 APP PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V，采用 TO-92-3 封装。MPS6519 APM TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。MPS6519 APM PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。MPS6518 TRE TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。MPS6518 TRE PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。MPS6518 TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V，采用 TO-92-3 封装。MPS6518 PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V，采用 TO-92-3 封装。MPS6518 APM TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。MPS6518 APM PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。MPS6517 TRE TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。MPS6517 TRE PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。MPS6517 TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V，采用 TO-92-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。