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MPSA94 TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装:TO-92-3

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 400 V、集电极-基极电压(VCBO) 500 V、发射极-基极电压(VEBO) 6 V,采用 TO-92-3 封装。

MPSA94 PBFREE

Central Semiconductor · 封装:TO-92-3

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP,采用 TO-92-3 封装。

MPSA94 APM TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP。

MPSA94 APM PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP。

MPSA93 TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装:TO-92-3

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 200 V、集电极-基极电压(VCBO) 200 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V,采用 TO-92-3 封装。

MPSA93 PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极-发射极电压(VCEO) 200 V、集电极-基极电压(VCBO) 200 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V。

MPSA92 TRE TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP。

MPSA92 TRE PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP。

MPSA92 TRA TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装:TO-92-3

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 300 V、集电极-基极电压(VCBO) 300 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V,采用 TO-92-3 封装。

MPSA92 TRA PBFREE

Central Semiconductor · 封装:TO-92-3

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 300 V、集电极-基极电压(VCBO) 300 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V,采用 TO-92-3 封装。

MPSA92 TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装:TO-92-3

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 200 V、集电极-基极电压(VCBO) 200 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V,采用 TO-92-3 封装。

MPSA92 PBFREE

Central Semiconductor · 封装:TO-92

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极-发射极电压(VCEO) 300 V、集电极-基极电压(VCBO) 300 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V,采用 TO-92 封装。

MPSA92 APP TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装:TO-92-3

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 300 V、集电极-基极电压(VCBO) 300 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V,采用 TO-92-3 封装。

MPSA92 APP PBFREE

Central Semiconductor · 封装:TO-92-3

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 300 V、集电极-基极电压(VCBO) 300 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V,采用 TO-92-3 封装。

MPSA92 APM TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP。

MPSA92 APM PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP。

MPS6522 APM PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP。

MPS6521 TRE TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN。

MPS6521 TRE PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN。

MPS6521 TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极-发射极电压(VCEO) 25 V、集电极-基极电压(VCBO) 40 V、发射极-基极电压(VEBO) 4 V。

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

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