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PN3566 PBFREE

Central Semiconductor · 封装：TO-92

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92 封装。
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PN3566 APP TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92-3 封装。
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PN3566 APP PBFREE

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92-3 封装。
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PN3566 APM TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。
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PN3566 APM PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。
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PN3563 TRE TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。
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PN3563 TRE PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。
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PN3563 TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 2 V，采用 TO-92-3 封装。
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PN3563 PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 50 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 2 V。
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PN3563 APM TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。
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PN3563 APM PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。
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PN2907A TRE TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。
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PN2907A TRE PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。
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PN2907A TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92-3 封装。
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PN2907A PBFREE

Central Semiconductor · 封装：TO-92

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92 封装。
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PN2907A APM TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。
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PN2907A APM PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。
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PN2484 TRE TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。
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PN2484 TRE PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。
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PN2484 TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-92-3 封装。
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