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199,570 条型号记录
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PN3643 APM PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN。

PN3642 TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装:TO-92-3

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 45 V、集电极-基极电压(VCBO) 60 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V,采用 TO-92-3 封装。

PN3642 PBFREE

Central Semiconductor · 封装:TO-92-3

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 45 V、集电极-基极电压(VCBO) 60 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V,采用 TO-92-3 封装。

PN3638A TRE TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP。

PN3638A TRE PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP。

PN3638A TRC TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装:TO-92-3

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、集电极-基极电压(VCBO) 25 V、发射极-基极电压(VEBO) 4 V、集电极-发射极饱和电压 1 V,采用 TO-92-3 封装。

PN3638A TRC PBFREE

Central Semiconductor · 封装:TO-92-3

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、集电极-基极电压(VCBO) 25 V、发射极-基极电压(VEBO) 4 V、集电极-发射极饱和电压 1 V,采用 TO-92-3 封装。

PN3638A TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装:TO-92-3

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 25 V、集电极-基极电压(VCBO) 25 V、发射极-基极电压(VEBO) 4 V,采用 TO-92-3 封装。

PN3638A PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP、原产国家或地区 韩国、单件重量 0.016000 oz。

PN3638A APP TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装:TO-92-3

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、集电极-基极电压(VCBO) 25 V、发射极-基极电压(VEBO) 4 V、集电极-发射极饱和电压 1 V,采用 TO-92-3 封装。

PN3638A APP PBFREE

Central Semiconductor · 封装:TO-92-3

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、集电极-基极电压(VCBO) 25 V、发射极-基极电压(VEBO) 4 V、集电极-发射极饱和电压 1 V,采用 TO-92-3 封装。

PN3638A APM TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP。

PN3638A APM PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP。

PN3569 TRE TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN。

PN3569 TRE PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN。

PN3569 TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装:TO-92-3

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 40 V、集电极-基极电压(VCBO) 80 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V,采用 TO-92-3 封装。

PN3569 PBFREE

Central Semiconductor · 封装:TO-92

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极-发射极电压(VCEO) 40 V、集电极-基极电压(VCBO) 80 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V,采用 TO-92 封装。

PN3569 APM TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN。

PN3569 APM PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN。

PN3568 TRE TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN。

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