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199,570 条型号记录
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PN4033 TRE TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP。

PN4033 TRE PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP。

PN3645 TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装:TO-92-3

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 60 V、集电极-基极电压(VCBO) 60 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V,采用 TO-92-3 封装。

PN3645 PBFREE

Central Semiconductor · 封装:TO-92

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极-发射极电压(VCEO) 60 V、集电极-基极电压(VCBO) 60 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V,采用 TO-92 封装。

PN3645 APM TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP。

PN3645 APM PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP。

PN3644 TRE TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP。

PN3644 TRE PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP。

PN3644 TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装:TO-92-3

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 45 V、集电极-基极电压(VCBO) 45 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V,采用 TO-92-3 封装。

PN3644 PBFREE

Central Semiconductor · 封装:TO-92-3

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极-发射极电压(VCEO) 45 V、集电极-基极电压(VCBO) 45 V,采用 TO-92-3 封装。

PN3644 APM TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP。

PN3644 APM PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP。

PN3643 TRE TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN。

PN3643 TRE PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、原产国家或地区 IN。

PN3643 TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装:TO-92-3

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 30 V、集电极-基极电压(VCBO) 60 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V,采用 TO-92-3 封装。

PN3643 PBFREE

Central Semiconductor · 封装:TO-92

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极-发射极电压(VCEO) 30 V、集电极-基极电压(VCBO) 60 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V,采用 TO-92 封装。

PN3643 APM TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN。

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