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PN5138 TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92-3 封装。
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PN5138 PBFREE

Central Semiconductor · 封装：TO-92

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92 封装。
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PN5138 APM TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。
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PN5138 APM PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。
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PN5137 TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V，采用 TO-92-3 封装。
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PN5133 PBFREE

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V、集电极－发射极饱和电压 400 mV，采用 TO-92-3 封装。
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PN5132 TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V、集电极－发射极饱和电压 2 V，采用 TO-92-3 封装。
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PN5132 PBFREE

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V、集电极－发射极饱和电压 2 V，采用 TO-92-3 封装。
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PN5131 TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 TO-92-3 封装。
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PN5131 PBFREE

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 TO-92-3 封装。
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PN5130 TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 1 V、集电极－发射极饱和电压 600 mV，采用 TO-92-3 封装。
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PN5130 PBFREE

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 1 V、集电极－发射极饱和电压 600 mV，采用 TO-92-3 封装。
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PN5129 TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 15 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V、集电极－发射极饱和电压 250 mV，采用 TO-92-3 封装。
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PN5129 PBFREE

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 15 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V、集电极－发射极饱和电压 250 mV，采用 TO-92-3 封装。
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PN5128 TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 15 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V、集电极－发射极饱和电压 250 mV，采用 TO-92-3 封装。
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PN5128 PBFREE

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 15 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V、集电极－发射极饱和电压 250 mV，采用 TO-92-3 封装。
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PN5127 TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V、集电极－发射极饱和电压 300 mV，采用 TO-92-3 封装。
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PN4917 APM TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。
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PN4917 APM PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。
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PN4916 TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92-3 封装。
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