MPS2369 APM PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。分立与功率器件
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
199,570 条型号记录MPS2369 APM TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。MPS2369 PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN，采用 TO-92-3 封装。MPS2369 TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN，采用 TO-92-3 封装。MPS2369 TRE PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。MPS2369 TRE TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。MPS2713 TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管。MPS3392 APM PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。MPS3392 APM TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。MPS3392 PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V。MPS3396 PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最小直流电流增益（hfe） 90 at 4.5 V, 2 mA，采用 TO-92-3 封装。MPS3396 TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最小直流电流增益（hfe） 90 at 4.5 V, 2 mA，采用 TO-92-3 封装。MPS3397 PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最小直流电流增益（hfe） 55 at 4.5 V, 2 mA，采用 TO-92-3 封装。MPS3397 TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最小直流电流增益（hfe） 55 at 4.5 V, 2 mA，采用 TO-92-3 封装。MPS3398 PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最小直流电流增益（hfe） 55 at 4.5 V, 2 mA，采用 TO-92-3 封装。MPS3398 TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最小直流电流增益（hfe） 55 at 4.5 V, 2 mA，采用 TO-92-3 封装。MPS3415 APM PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。MPS3415 APM TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。MPS3415 PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92-3 封装。PN5143 TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V、集电极－发射极饱和电压 2 V，采用 TO-92-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。