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CMST5089 BK PBFREE

Central Semiconductor · 封装：SOT-323-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 50 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V，采用 SOT-323-3 封装。
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CMST5089 TR PBFREE

Central Semiconductor · 封装：SOT-323

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、原产国家或地区 中国台湾，采用 SOT-323 封装。
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CMUT2222A BK PBFREE

Central Semiconductor · 封装：SOT-523

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、原产国家或地区 美国、商品名称 UltraMini，采用 SOT-523 封装。
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CMUT2222A TR PBFREE

Central Semiconductor · 封装：SOT-523

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V，采用 SOT-523 封装。
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CMUT2907A BK PBFREE

Central Semiconductor · 封装：SOT-523

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、原产国家或地区 美国、商品名称 UltraMini，采用 SOT-523 封装。
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CMUT2907A TR PBFREE

Central Semiconductor · 封装：SOT-523

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SOT-523 封装。
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CMUT3906 TR PBFREE

Central Semiconductor · 封装：SOT-523

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-523 封装。
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CMUT4403 TR PBFREE

Central Semiconductor · 封装：SOT-523

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、商品名称 UltraMini，采用 SOT-523 封装。
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CMUT5087E TR PBFREE

Central Semiconductor · 封装：SOT-523

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-523 封装。
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CMUT5088E TR PBFREE

Central Semiconductor · 封装：SOT-523

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-523 封装。
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CMUT5551 TR PBFREE

Central Semiconductor · 封装：SOT-523

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、原产国家或地区 韩国，采用 SOT-523 封装。
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CMXT2222A TR PBFREE

Central Semiconductor · 封装：SOT-26

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V，采用 SOT-26 封装。
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CMXT2907A TR TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：SOT-26

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SOT-26 封装。
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CMXT3904 TR PBFREE

Central Semiconductor · 封装：SOT-26

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SOT-26 封装。
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CMXT3906 TR PBFREE

Central Semiconductor · 封装：SOT-26

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 SOT-26 封装。
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CMXT3906 TR TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：SOT-26-6

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-26-6 封装。
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CMXT3946 TR PBFREE

Central Semiconductor · 封装：SOT-26

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V, 40 V，采用 SOT-26 封装。
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CMXT3946 TR TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：SOT-26-6

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V, 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V, 6 V，采用 SOT-26-6 封装。
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CP392V-CMPT3904-CT

Central Semiconductor · 封装：Die

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 Die 封装。
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CXT2222A TR PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V。
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