BC337-25 PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-92
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录BC337-25 TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92-3 封装。BC337-25 TRE PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管。BC337-25 TRE TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92-3 封装。CMPTA56 TR PBFREE
Central Semiconductor · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SOT-23 封装。CMST2222A BK PBFREE
Central Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、原产国家或地区 美国、商品名称 SUPERmini，采用 SOT-323-3 封装。CMST2222A TR PBFREE
Central Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V，采用 SOT-323-3 封装。CMST2907A BK PBFREE
Central Semiconductor · 封装：SOT-323
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、原产国家或地区 美国、商品名称 SUPERmini，采用 SOT-323 封装。CMST2907A TR PBFREE
Central Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SOT-323-3 封装。CMST3904 BK PBFREE
Central Semiconductor · 封装：SOT-323
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、原产国家或地区 美国、商品名称 SUPERmini，采用 SOT-323 封装。CMST3904 TR PBFREE
Central Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SOT-323-3 封装。CMST3906 TR PBFREE
Central Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 SOT-323-3 封装。CMST5086 BK PBFREE
Central Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 50 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-323-3 封装。CMST5086 TR PBFREE
Central Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 50 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-323-3 封装。CMST5086 TR TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V，采用 SOT-323-3 封装。CMST5087 BK PBFREE
Central Semiconductor · 封装：SOT-323
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、原产国家或地区 美国，采用 SOT-323 封装。CMST5087 TR PBFREE
Central Semiconductor · 封装：SOT-323
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 50 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-323 封装。CMST5087 TR TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V，采用 SOT-323-3 封装。CMST5088 BK PBFREE
Central Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 50 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 35 V，采用 SOT-323-3 封装。CMST5088 TR PBFREE
Central Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 50 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 35 V，采用 SOT-323-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。