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BC182 PBFREE

Central Semiconductor · 封装:TO-92

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V、集电极-基极电压(VCBO) 60 V,采用 TO-92 封装。

BC182 TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装:TO-92-3

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V、集电极-基极电压(VCBO) 60 V、发射极-基极电压(VEBO) 6 V,采用 TO-92-3 封装。

BC182 TRE PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN。

BC182 TRE TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN。

BC184B APM PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN。

BC212A APM PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP。

BC212A APM TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP。

BC212A PBFREE

Central Semiconductor · 封装:TO-92-3

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V、集电极-基极电压(VCBO) 60 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V,采用 TO-92-3 封装。

BC212A TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装:TO-92-3

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V、集电极-基极电压(VCBO) 60 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V,采用 TO-92-3 封装。

BC212A TRE PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP。

BC212A TRE TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP。

BC212B APM PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP。

BC212B APM TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP。

BC212B PBFREE

Central Semiconductor · 封装:TO-92-3

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V、集电极-基极电压(VCBO) 60 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V,采用 TO-92-3 封装。

BC212B TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装:TO-92-3

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V、集电极-基极电压(VCBO) 60 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V,采用 TO-92-3 封装。

BC212B TRE PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP。

BC212B TRE TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP。

BC237B APM PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN。

BC237B APM TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN。

BC237B PBFREE

Central Semiconductor · 封装:TO-92-3

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极-发射极电压(VCEO) 45 V、集电极-基极电压(VCBO) 50 V、发射极-基极电压(VEBO) 6 V,采用 TO-92-3 封装。

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