BC182 PBFREE
Central Semiconductor · 封装:TO-92
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V、集电极-基极电压(VCBO) 60 V,采用 TO-92 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Central Semiconductor · 封装:TO-92
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V、集电极-基极电压(VCBO) 60 V,采用 TO-92 封装。Central Semiconductor · 封装:TO-92-3
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V、集电极-基极电压(VCBO) 60 V、发射极-基极电压(VEBO) 6 V,采用 TO-92-3 封装。Central Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN。Central Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN。Central Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN。Central Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP。Central Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP。Central Semiconductor · 封装:TO-92-3
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V、集电极-基极电压(VCBO) 60 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V,采用 TO-92-3 封装。Central Semiconductor · 封装:TO-92-3
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V、集电极-基极电压(VCBO) 60 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V,采用 TO-92-3 封装。Central Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP。Central Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP。Central Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP。Central Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP。Central Semiconductor · 封装:TO-92-3
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V、集电极-基极电压(VCBO) 60 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V,采用 TO-92-3 封装。Central Semiconductor · 封装:TO-92-3
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V、集电极-基极电压(VCBO) 60 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V,采用 TO-92-3 封装。Central Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP。Central Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP。Central Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN。Central Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN。Central Semiconductor · 封装:TO-92-3
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极-发射极电压(VCEO) 45 V、集电极-基极电压(VCBO) 50 V、发射极-基极电压(VEBO) 6 V,采用 TO-92-3 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。