2N6432 TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装:TO-18-3
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 200 V、集电极-基极电压(VCBO) 200 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V,采用 TO-18-3 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Central Semiconductor · 封装:TO-18-3
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 200 V、集电极-基极电压(VCBO) 200 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V,采用 TO-18-3 封装。Central Semiconductor · 封装:TO-18-3
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP、原产国家或地区 美国,采用 TO-18-3 封装。Central Semiconductor · 封装:TO-18-3
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 300 V、集电极-基极电压(VCBO) 300 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V,采用 TO-18-3 封装。Central Semiconductor · 封装:TO-92
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极-发射极电压(VCEO) 250 V、集电极-基极电压(VCBO) 250 V、发射极-基极电压(VEBO) 6 V,采用 TO-92 封装。Central Semiconductor · 封装:TO-92-3
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 250 V、集电极-基极电压(VCBO) 250 V、发射极-基极电压(VEBO) 6 V,采用 TO-92-3 封装。Central Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN。Central Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN。Central Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN。Central Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN。Central Semiconductor · 封装:TO-92-3
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN,采用 TO-92-3 封装。Central Semiconductor · 封装:TO-92-3
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 300 V、集电极-基极电压(VCBO) 300 V、发射极-基极电压(VEBO) 6 V,采用 TO-92-3 封装。Central Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN。Central Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN。Central Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN。Central Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN。Central Semiconductor · 封装:TO-92-3
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极-发射极电压(VCEO) 350 V、集电极-基极电压(VCBO) 350 V、发射极-基极电压(VEBO) 6 V,采用 TO-92-3 封装。Central Semiconductor · 封装:TO-92-3
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 350 V、集电极-基极电压(VCBO) 350 V、发射极-基极电压(VEBO) 6 V,采用 TO-92-3 封装。Central Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN。Central Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN。Central Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。