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分立与功率器件

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199,570 条型号记录
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2N6027 APM PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、耗散功率（Pd） 300 mW、最小工作温度 - 50 C、最大工作温度 + 100 C、原产国家或地区 IN。
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2N6027 APP PBFREE

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、配置 Single、耗散功率（Pd） 300 mW、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 100 C、原产国家或地区 IN，采用 TO-92-3 封装。
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2N6027 APP TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、配置 Single、耗散功率（Pd） 300 mW、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 100 C，采用 TO-92-3 封装。
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2N6027 PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括耗散功率（Pd） 300 mW、最小工作温度 - 50 C、最大工作温度 + 100 C、原产国家或地区 IN、单件重量 0.016000 oz。
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2N6027 TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、配置 Single、耗散功率（Pd） 300 mW、最小工作温度 - 50 C、最大工作温度 + 100 C，采用 TO-92-3 封装。
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2N6027 TRA PBFREE

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、配置 Single、耗散功率（Pd） 300 mW、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 100 C，采用 TO-92-3 封装。
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2N6027 TRA TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、配置 Single、耗散功率（Pd） 300 mW、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 100 C，采用 TO-92-3 封装。
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2N6027 TRB PBFREE

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、配置 Single、耗散功率（Pd） 300 mW、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 100 C、原产国家或地区 IN，采用 TO-92-3 封装。
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2N6027 TRB TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、配置 Single、耗散功率（Pd） 300 mW、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 100 C，采用 TO-92-3 封装。
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2N6027 TRE PBFREE

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 IN，采用 TO-92-3 封装。
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2N6028 APM PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 IN。
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2N6028 PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括耗散功率（Pd） 300 mW、最小工作温度 - 50 C、最大工作温度 + 100 C、原产国家或地区 IN、单件重量 0.016000 oz。
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2N6076 TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92-3 封装。
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2N6076 TRE PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。
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2N6076 TRE TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。
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2N6190 PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V。
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2N6261 PBFREE

Central Semiconductor · 封装：TO-66-2

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 90 V、集电极－发射极饱和电压 500 mV，采用 TO-66-2 封装。
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