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2N5822 TRE TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。
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2N5823 APM PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。
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2N5823 APM TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。
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2N5823 PBFREE

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 750 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 70 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92-3 封装。
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2N5823 TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 70 V，采用 TO-92-3 封装。
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2N5823 TRE PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。
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2N5823 TRE TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。
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2N5954 PBFREE

Central Semiconductor · 封装：TO-66-2

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 90 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-66-2 封装。
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2N5954 TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-66-2

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 90 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-66-2 封装。
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2N5955 PBFREE

Central Semiconductor · 封装：TO-66-2

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 70 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-66-2 封装。
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2N5955 TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-66-2

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 70 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-66-2 封装。
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2N5956 PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。
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2N5956 TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-66-2

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-66-2 封装。
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2N5962 APM PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。
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2N5962 APM TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。
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2N5962 PBFREE

Central Semiconductor · 封装：TO-92

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 50 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-92 封装。
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2N5962 TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-92-3 封装。
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2N5962 TRE PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。
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2N5962 TRE TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。
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2N5963 TRE TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。
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