STX616-AP
STMicroelectronics · 封装：TO-92AP-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 500 V、发射极－基极电压（VEBO） 12 V、集电极－发射极饱和电压 1 V、最大直流集电极电流 2.4 A，采用 TO-92AP-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录PBSS302NZ,135
Nexperia · 封装：SOT-223-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 5.8 A，采用 SOT-223-3 封装。2STR2160
STMicroelectronics · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 260 mV，采用 SOT-23-3 封装。ZXTP19060CGTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、最大直流集电极电流 5 A，采用 SOT-223-4 封装。CMPTA42E TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 350 V、集电极－基极电压（VCBO） 350 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 125 mV，采用 SOT-23 封装。MJE18008G
ON Semiconductor · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 450 V、集电极－基极电压（VCBO） 1 kV、发射极－基极电压（VEBO） 9 V、集电极－发射极饱和电压 0.3 V，采用 TO-220-3 封装。ZXTN25100DZTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 180 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、最大直流集电极电流 2.5 A，采用 SOT-89-3 封装。CXT3904 TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-89
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.2 A，采用 SOT-89 封装。FZT790ATA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 40 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.4 V，采用 SOT-223-4 封装。BC857BR TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 BC857BR PBFREE TR，采用 SOT-23 封装。FSB560A
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SuperSOT-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 300 mV，采用 SuperSOT-3 封装。BCX54-16,115
Nexperia · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 500 mV，采用 SOT-89-3 封装。ZUMT718TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 20 V、集电极－基极电压（VCBO） - 20 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 180 mV，采用 SOT-323-3 封装。MJ14002G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1 V。ZXTP718MATA
Diodes Incorporated · 封装：DFN2020B-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 20 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7.5 V、最大直流集电极电流 - 6 A、增益带宽积（fT） 180 MHz，采用 DFN2020B-3 封装。DNLS350E-13
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 290 mV，采用 SOT-223-4 封装。FZT956TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 200 V、集电极－基极电压（VCBO） - 220 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 275 mV，采用 SOT-223-4 封装。ZXTP2012GTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V、集电极－基极电压（VCBO） - 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 195 mV，采用 SOT-223-4 封装。BCP56-10TX
Nexperia · 封装：SOT-223-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-223-3 封装。FZT1051ATA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 150 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 340 mV，采用 SOT-223-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。