2N5772 TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录2N5772 TRE PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。2N5772 TRE TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。2N5786 TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 3.5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 3.5 V。2N5815 PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-92-18R-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 TO-92-18R-3 封装。2N5815 TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-92-18R-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 TO-92-18R-3 封装。2N5817 APM PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管。2N5817 APM TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管。2N5817 PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、单件重量 0.016000 oz。2N5817 TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 TO-92-3 封装。2N5817 TRE PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。2N5817 TRE TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。2N5818 APM PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。2N5818 APM TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。2N5818 PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、原产国家或地区 韩国、单件重量 0.016000 oz。2N5818 TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 TO-92-3 封装。2N5818 TRE PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。2N5818 TRE TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。2N5822 APM TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。2N5822 TRE PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。