ZX5T853GTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 200 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 180 mV，采用 SOT-223-4 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录2N6107G
ON Semiconductor · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 70 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 3.5 V，采用 TO-220-3 封装。FZT655TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 150 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 180 mV，采用 SOT-223-4 封装。ZXTN620MATA
Diodes Incorporated · 封装：DFN2020B-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 7.5 V、最大直流集电极电流 5 A、增益带宽积（fT） 160 MHz，采用 DFN2020B-3 封装。ZTX790A
Diodes Incorporated · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 40 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.75 V，采用 TO-92-3 封装。ZX5T851GTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 150 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、最大直流集电极电流 6 A，采用 SOT-223-4 封装。MJD350T4
STMicroelectronics · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V、最大直流集电极电流 750 mA，采用 TO-252-3 封装。BD241CG
ON Semiconductor · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 90 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1.2 V，采用 TO-220-3 封装。BCP53-16TX
Nexperia · 封装：SOT-223-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、集电极－基极电压（VCBO） - 100 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 SOT-223-3 封装。2SC5662T2LP
ROHM Semiconductor · 封装：VMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 11 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 VMT-3 封装。FZT657TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 SOT-223-4 封装。FMB3906
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SSOT-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 SSOT-6 封装。ZTX953
Diodes Incorporated · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） - 140 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、最大直流集电极电流 3.5 A，采用 TO-92-3 封装。FMMT723QTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 100 V、集电极－基极电压（VCBO） - 100 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 50 mV，采用 SOT-23-3 封装。FCX1053ATA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 75 V、集电极－基极电压（VCBO） 150 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 440 mV，采用 SOT-89-3 封装。CMPTA46 TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 450 V、集电极－基极电压（VCBO） 450 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-23 封装。BCM847BS,135
Nexperia · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-363-6 封装。NZT660A
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 500 mV，采用 SOT-223-4 封装。BUL45D2G
ON Semiconductor · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 700 V、发射极－基极电压（VEBO） 12 V、集电极－发射极饱和电压 0.46 V，采用 TO-220-3 封装。PBSS302PZ,135
Nexperia · 封装：SOT-223-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 5.5 A，采用 SOT-223-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。