2N3390 PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录2N3390 TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管。2N3391A APM PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大直流集电极电流 500 mA。2N3391A APM TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大直流集电极电流 500 mA。2N3391A PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-92
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92 封装。2N3391A TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V，采用 TO-92-3 封装。2N3391A TRE PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大直流集电极电流 500 mA。2N3391A TRE TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大直流集电极电流 500 mA。2N3395 PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V，采用 TO-92-3 封装。2N3395 TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V，采用 TO-92-3 封装。2N3396 PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V，采用 TO-92-3 封装。2N3396 TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V，采用 TO-92-3 封装。2N3398 PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V，采用 TO-92-3 封装。2N3398 TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V，采用 TO-92-3 封装。2N3403 PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-92HS
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92HS 封装。2N3415 APM PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。2N3415 APM TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。2N3415 APP PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92-3 封装。2N3415 TRE TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。2N3417 APM PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。