2N2712 TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 18 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最小直流电流增益（hfe） 75，采用 TO-92-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录2N2714 PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 18 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1.2 V，采用 TO-92-3 封装。2N2714 TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 18 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1.2 V，采用 TO-92-3 封装。2N2857 PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-72
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 40 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 2.5 V，采用 TO-72 封装。2N2905 PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-39
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-39 封装。2N2905 TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-39-3 封装。2N2905A PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-39
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-39 封装。2N2905A TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-39-3 封装。2N2907 PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-18-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-18-3 封装。2N2907 TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-18-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-18-3 封装。2N2907A PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-18-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-18-3 封装。2N2907A TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-18-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-18-3 封装。2N2925 APM PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。2N2925 APM TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。2N2925 PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-92
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92 封装。2N2925 TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92-3 封装。2N2925 TRE PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。2N2925 TRE TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。2N3019 PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-39
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 140 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-39 封装。2N3019 TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 140 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-39-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。