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199,570 条型号记录
每页 20 条

MSR2N3637UB/TR

Microchip Technology · 封装：SMD-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 175 V、集电极－基极电压（VCBO） 175 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SMD-3 封装。
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MSR2N3501UB

Microchip Technology · 封装：TO-5-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 300 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 150 V，采用 TO-5-3 封装。
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MSR2N2222AUBC/TR

Microchip Technology

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V。
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Jantxv2N718A

Microchip / Microsemi

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。
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Jantxv2N6989U/TR

Microchip / Microsemi · 封装：LCC-20

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Quad、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V，采用 LCC-20 封装。
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Jantxv2N6987U

Microchip / Microsemi

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。
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Jantxv2N6338

Microchip / Microsemi

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。
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Jantxv2N6033

Microchip / Microsemi

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。
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Jantxv2N5796U

Microchip / Microsemi

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。
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Jantxv2N5686

Microchip / Microsemi

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。
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Jantxv2N5684

Microchip / Microsemi

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。
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Jantxv2N5683

Microchip / Microsemi

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。
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BC817

Rectron · 封装：SOT-23

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 700 mV，采用 SOT-23 封装。
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BC846

Rectron · 封装：SOT-23

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-23 封装。
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BC847

Rectron · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。
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BC848

Rectron · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V，采用 SOT-23-3 封装。
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15C01M-TL-E

onsemi · 封装：SC-70-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 700 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V，采用 SC-70-3 封装。
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101104

Soldered · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、连续集电极电流 1 A、原产国家或地区 HR、单件重量 0.035274 oz，采用 TO-92-3 封装。
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2N5154S1

STMicroelectronics · 封装：SMD.5

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SMD.5 封装。
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2N2222AUB1

STMicroelectronics · 封装：UB-4

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 UB-4 封装。
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