2PA1576R-QX
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-323-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录2PA1576S-QX
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SOT-323-3 封装。2PB1219AS-QX
Nexperia · 封装：SOT-323
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、耗散功率（Pd） 200 mW、增益带宽积（fT） 140 MHz，采用 SOT-323 封装。2PB709ARL-QR
Nexperia · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、耗散功率（Pd） 250 mW、增益带宽积（fT） 70 MHz、最小工作温度 - 55 C，采用 SOT-23 封装。2PB709ARL-QVL
Nexperia · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、耗散功率（Pd） 250 mW、增益带宽积（fT） 70 MHz、最小工作温度 - 55 C，采用 SOT-23 封装。2PB709ART-QR
Nexperia · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、耗散功率（Pd） 250 mW、增益带宽积（fT） 70 MHz、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-23 封装。PZTA92-QX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934664936115。PZTA92-QF
Nexperia · 封装：SC-73-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V，采用 SC-73-4 封装。PZTA44-QX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国、型号别名 934663781115。PZTA42-QX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934664937115。PZT4403-QX
Nexperia · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 800 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 SOT-223-4 封装。PXTA92-QX
Nexperia · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V，采用 SOT-89-3 封装。PXTA42F
Nexperia · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V，采用 SOT-89-3 封装。PXTA42-QF
Nexperia · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V，采用 SOT-89-3 封装。PUMZ2-QX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934669417115。2N4403TFR
onsemi · 封装：TO-92-3 Kinked Lead
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 TO-92-3 Kinked Lead 封装。2N4922G
onsemi · 封装：TO-225-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 TO-225-3 封装。2N1479
Microchip Technology · 封装：TO-5-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 TO-5-3 封装。2N1482
Microchip Technology · 封装：TO-5-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 TO-5-3 封装。2N1483
Microchip Technology · 封装：TO-8-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 TO-8-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。