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Jan2N5672

Microchip / Microsemi · 封装：Si

该型号为晶体管，采用 Si 封装。
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PHPT60606NY

Nexperia · 封装：SOT-669-4

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 50 mV，采用 SOT-669-4 封装。
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PHPT61002NYC

Nexperia · 封装：LFPAK-56-4

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 75 mV、最大直流集电极电流 2 A，采用 LFPAK-56-4 封装。
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2SA1579U3T106R

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 120 V、集电极－基极电压（VCBO） - 120 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 SOT-323-3 封装。
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2SC4102U3T106R

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 120 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-323-3 封装。
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2PA1576Q-QX

Nexperia · 封装：SOT-323-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-323-3 封装。
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