ChipSourceHub 美芯科技
English发起询盘

分立与功率器件

按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。

型号列表

199,570 条型号记录
每页 20 条

CMST3904 BK

Central Semiconductor · 封装：SOT-323

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、商品名称 SUPERmini、型号别名 BK CMST3904 PBFREE，采用 SOT-323 封装。
查看资料 询价

CZT953 TR

Central Semiconductor · 封装：SOT-223-4

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 140 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-223-4 封装。
查看资料 询价

2N881

Central Semiconductor · 封装：TO-18

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 2N881 PBFREE，采用 TO-18 封装。
查看资料 询价

FZT1051ATC

Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 150 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-223-4 封装。
查看资料 询价

FCX495TC

Diodes Incorporated · 封装：SOT-89-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 170 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-89-3 封装。
查看资料 询价

2N6543

Central Semiconductor · 封装：TO-3-2

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 850 V、集电极－发射极饱和电压 1 V、最大直流集电极电流 5 A，采用 TO-3-2 封装。
查看资料 询价

CMUSH2-4 TR

Central Semiconductor · 封装：SOT-523

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、商品名称 UltraMini、型号别名 CMUSH2-4 PBFREE TR，采用 SOT-523 封装。
查看资料 询价

CMLT2222AG TR

Central Semiconductor · 封装：SOT-563

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、型号别名 CMLT2222AG PBFREE TR，采用 SOT-563 封装。
查看资料 询价

Jan2N5745

Microchip / Microsemi · 封装：Si

该型号为晶体管，采用 Si 封装。
查看资料 询价

TTC014,L1NV

Toshiba · 封装：SiC

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 800 V、集电极－基极电压（VCBO） 900 V、发射极－基极电压（VEBO） 8 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 SiC 封装。
查看资料 询价

2SC6000(TE16L1,NQ)

Toshiba · 封装：Buy Min.: 1Mult.: 1

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 Buy Min.: 1Mult.: 1 封装。
查看资料 询价

2SAR587D3TL1

ROHM Semiconductor · 封装：TO-252-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 120 V、集电极－基极电压（VCBO） - 120 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V，采用 TO-252-3 封装。
查看资料 询价

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

芯片型号库｜技术参数与数据手册｜ChipSourceHub 美芯科技