JANTX2N3440
Microchip / Microsemi · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 250 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-39-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录2N3741A
Central Semiconductor · 封装：TO-66-2
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-66-2 封装。CMXT2907A TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-26
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-26 封装。CET3906E
Central Semiconductor · 封装：SOT-883L-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-883L-3 封装。BCP54-16-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-223-4 封装。2SA2070(TE12L,F)
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。2SA2056(TE85L,F)
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。2SA2097(TE16L1,NQ)
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。BCX53-16TX
Nexperia · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、集电极－基极电压（VCBO） - 100 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 SOT-89-3 封装。MJD31CAJ
Nexperia · 封装：DPAK-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 DPAK-3 封装。MJD44H11AJ
Nexperia · 封装：DPAK-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 DPAK-3 封装。MJD45H11J
Nexperia · 封装：DPAK-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V，采用 DPAK-3 封装。MJD45H11AJ
Nexperia · 封装：DPAK-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V，采用 DPAK-3 封装。MJD44H11J
Nexperia · 封装：DPAK-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 DPAK-3 封装。BCX53TF
Nexperia · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、集电极－基极电压（VCBO） - 100 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 SOT-89-3 封装。BCX56-16TX
Nexperia · 封装：SC-62-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SC-62-3 封装。MJD31CJ
Nexperia · 封装：DPAK-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 DPAK-3 封装。BCX56TX
Nexperia · 封装：SC-62-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SC-62-3 封装。MJD32CJ
Nexperia · 封装：DPAK-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 100 V、集电极－基极电压（VCBO） - 100 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V，采用 DPAK-3 封装。BCX53-10TX
Nexperia · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、集电极－基极电压（VCBO） - 100 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 SOT-89-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。