Jantx2N3441
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录Jantx2N4854U
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。Jantx2N1486
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JANS2N5665
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。Jantxv2N6193U3
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。Jantxv2N6351
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。Jantx2N5660
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。Jan2N3584
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。90025-02TX
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。HS2222ATX
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。2N5680L
Microchip / Microsemi · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 120 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V，采用 TO-39-3 封装。Jan2N3057A/TR
Microchip / Microsemi · 封装：TO-46-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 140 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-46-3 封装。Jantx2N2222AL/TR
Microchip / Microsemi · 封装：TO-18-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-18-3 封装。Jan2N3486A/TR
Microchip / Microsemi · 封装：TO-46-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-46-3 封装。JAN2N3635UB/TR
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。Jantx2N3485A/TR
Microchip / Microsemi · 封装：TO-46-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-46-3 封装。JANTX2N3737/TR
Microchip / Microsemi · 封装：TO-46-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-46-3 封装。2N3485A/TR
Microchip / Microsemi · 封装：TO-46-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-46-3 封装。2N3634UB/TR
Microchip / Microsemi · 封装：SMD-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 140 V、集电极－基极电压（VCBO） - 140 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SMD-3 封装。JANTX2N3635UB/TR
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。