Jan2N2432
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录Jantx2N4854
Microchip / Microsemi · 封装：Si
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 Si 封装。2SARA41CT116R
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 120 V、集电极－基极电压（VCBO） - 120 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 SOT-23-3 封装。Jan2N697
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。2N6299E3
Microchip / Microsemi · 封装：TO-66-2
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 TO-66-2 封装。Jantx2N2945A
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。2N5682e3
Microchip / Microsemi · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 120 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V，采用 TO-39-3 封装。2N3440e3
Microchip / Microsemi · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 250 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-39-3 封装。Jantx2N2432A
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JANTX2N2481
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。Jantx2N3468
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JAN2N657
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。2N6301E3
Microchip / Microsemi · 封装：TO-66-2
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-66-2 封装。Jan2N718A
Microchip / Microsemi · 封装：$11.59
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 $11.59 封装。Jantx2N3585
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。Jantx2N3584
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。Jantx2N1485
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JAN2N1711
Microchip / Microsemi · 封装：Through Hole
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 Through Hole 封装。Jantxv2N6352
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JANTX2n1711
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。