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199,570 条型号记录
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JANTXV2N3501UB/TR

Microchip / Microsemi · 封装：LCC-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 150 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 LCC-3 封装。
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JANTXV2N2484UA

Microchip / Microsemi · 封装：Si

该型号为晶体管，采用 Si 封装。
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JAN2N3737UB/TR

Microchip / Microsemi · 封装：LCC-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 LCC-3 封装。
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JANTXV2N3019S/TR

Microchip / Microsemi · 封装：TO-5-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 140 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-5-3 封装。
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Jantxv2N2484UB/TR

Microchip / Microsemi · 封装：LCC-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 LCC-3 封装。
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Jantx2N3810/TR

Microchip / Microsemi · 封装：TO-78-6

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-78-6 封装。
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JANTX2N3501UB/TR

Microchip / Microsemi · 封装：LCC-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 150 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 LCC-3 封装。
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2N3501L/TR

Microchip / Microsemi · 封装：TO-5-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 150 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-5-3 封装。
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Jantxv2N4449/TR

Microchip / Microsemi · 封装：TO-46-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 6 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-46-3 封装。
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2N2945A/TR

Microchip / Microsemi · 封装：TO-46-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 20 V、集电极－基极电压（VCBO） - 25 V、发射极－基极电压（VEBO） - 25 V，采用 TO-46-3 封装。
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Jantx2N3637L/TR

Microchip / Microsemi · 封装：TO-5-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 175 V、集电极－基极电压（VCBO） 175 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-5-3 封装。
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JANTXV2N3507AL

Microchip / Microsemi · 封装：SMD/SMT

该型号为晶体管，采用 SMD/SMT 封装。
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2N3724UB

Microchip / Microsemi · 封装：SMD-4

该型号为晶体管，采用 SMD-4 封装。
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2N4871

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 2N4871 PBFREE，采用 TO-92-3 封装。
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FJP13007H2TU-F080

ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-220-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 700 V、发射极－基极电压（VEBO） 9 V、集电极－发射极饱和电压 3 V，采用 TO-220-3 封装。
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