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JANTXV2N3500L/TR

Microchip / Microsemi · 封装：TO-5-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 150 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-5-3 封装。
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Jan2N2906AUA/TR

Microchip / Microsemi · 封装：LCC-4

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 LCC-4 封装。
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Jantxv2N3499L/TR

Microchip / Microsemi · 封装：TO-5-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-5-3 封装。
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JAN2N4261/TR

Microchip / Microsemi · 封装：TO-72-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 15 V、集电极－基极电压（VCBO） - 15 V、发射极－基极电压（VEBO） - 4.5 V，采用 TO-72-3 封装。
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JAN2N918UB/TR

Microchip / Microsemi · 封装：LCC-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V，采用 LCC-3 封装。
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Jantx2N2605/TR

Microchip / Microsemi · 封装：TO-206AB-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 70 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-206AB-3 封装。
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JANTX2N2484UA/TR

Microchip / Microsemi · 封装：LCC-4

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 LCC-4 封装。
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2N2906AUA/TR

Microchip / Microsemi · 封装：LCC-4

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 LCC-4 封装。
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JANTX2N2484UA

Microchip / Microsemi · 封装：SMD/SMT

该型号为晶体管，采用 SMD/SMT 封装。
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Jantxv2N3637/TR

Microchip / Microsemi · 封装：TO-205AD-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 175 V、集电极－基极电压（VCBO） 175 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-205AD-3 封装。
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JANTXV2N3637UB/TR

Microchip / Microsemi · 封装：LCC-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 175 V、集电极－基极电压（VCBO） 175 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 LCC-3 封装。
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2N4033UA/TR

Microchip / Microsemi · 封装：LCC-4

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 LCC-4 封装。
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2N4261UB/TR

Microchip / Microsemi · 封装：LCC-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 15 V、集电极－基极电压（VCBO） - 15 V、发射极－基极电压（VEBO） - 4.5 V，采用 LCC-3 封装。
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JANTXV2N2484UA/TR

Microchip / Microsemi · 封装：LCC-4

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 LCC-4 封装。
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Jantxv2N3019/TR

Microchip / Microsemi · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 140 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-39-3 封装。
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2N918UB/TR

Microchip / Microsemi · 封装：LCC-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V，采用 LCC-3 封装。
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