FZT749TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 25 V、集电极－基极电压（VCBO） - 35 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.4 V，采用 SOT-223-4 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录ZXTC2063E6TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-26-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V, 150 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、最大直流集电极电流 3.5 A，采用 SOT-26-6 封装。FZT689BTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 500 mV，采用 SOT-223-4 封装。ZXTN19100CFFTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23F-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 200 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 60 mV，采用 SOT-23F-3 封装。FZT658TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 SOT-223-4 封装。FZT651TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.43 V，采用 SOT-223-4 封装。ZXTD4591E6TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 SOT-23-6 封装。FZT653TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.23 V，采用 SOT-223-4 封装。FZT491TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 160 mV，采用 SOT-223-4 封装。ZTX450
Diodes Incorporated · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 TO-92-3 封装。BUL216
STMicroelectronics · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 800 V、集电极－基极电压（VCBO） 1600 V、发射极－基极电压（VEBO） 9 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 TO-220-3 封装。2SC5200N(S1,E,S)
Toshiba · 封装：TO-3P-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 230 V、集电极－基极电压（VCBO） 230 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 TO-3P-3 封装。TIP35C
STMicroelectronics · 封装：TO-247-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1.8 V，采用 TO-247-3 封装。ZXT849KTC
Diodes Incorporated · 封装：DPAK-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 230 mV，采用 DPAK-3 封装。ZDT6790TA
Diodes Incorporated · 封装：SM-8
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V, 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V, 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 500 mV，采用 SM-8 封装。ZTX951
Diodes Incorporated · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） - 100 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、最大直流集电极电流 4 A，采用 TO-92-3 封装。ZTX853
Diodes Incorporated · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 200 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 160 mV，采用 TO-92-3 封装。ZXT690BKTC
Diodes Incorporated · 封装：DPAK-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 240 mV，采用 DPAK-3 封装。NJL3281DG
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 260 V、集电极－基极电压（VCBO） 260 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 15 A。SSM2212RZ
Analog Devices · 封装：SOIC-8
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、集电极－发射极饱和电压 200 mV、最大直流集电极电流 20 mA，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。