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199,570 条型号记录
每页 20 条

Jantxv2N2369AUA/TR

Microchip / Microsemi · 封装：LCC-4

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 4.5 V，采用 LCC-4 封装。
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JANS2N2219/TR

Microchip / Microsemi · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-39-3 封装。
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JANS2N3499L/TR

Microchip / Microsemi · 封装：TO-5-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-5-3 封装。
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Jan2N2905/TR

Microchip / Microsemi · 封装：TO-205AD-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-205AD-3 封装。
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JAN2N4957UB/TR

Microchip / Microsemi · 封装：LCC-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 30 V、集电极－基极电压（VCBO） - 30 V、发射极－基极电压（VEBO） - 3 V，采用 LCC-3 封装。
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Jantxv2N2906AUA/TR

Microchip / Microsemi · 封装：LCC-4

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 LCC-4 封装。
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Jantxv2N2907AUA/TR

Microchip / Microsemi · 封装：LCC-4

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 LCC-4 封装。
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JANTXV2N918UB/TR

Microchip / Microsemi · 封装：LCC-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V，采用 LCC-3 封装。
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2N5416U4

Microchip / Microsemi · 封装：SMD-0.22-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 350 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SMD-0.22-3 封装。
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