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型号列表

199,570 条型号记录
每页 20 条

2N5794U/TR

Microchip / Microsemi · 封装:LCC-6

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极-发射极电压(VCEO) 40 V、集电极-基极电压(VCBO) 75 V、发射极-基极电压(VEBO) 6 V,采用 LCC-6 封装。

JANTX2N2919U

Microchip / Microsemi · 封装:Si

该型号为晶体管,采用 Si 封装。

2N6987/TR

Microchip / Microsemi · 封装:TO-116-14

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Quad、最大集电极-发射极电压(VCEO) 60 V、集电极-基极电压(VCBO) 60 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V,采用 TO-116-14 封装。

Jantxv2N6988/TR

Microchip / Microsemi · 封装:TO-86-14

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Quad、最大集电极-发射极电压(VCEO) 60 V、集电极-基极电压(VCBO) 60 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V,采用 TO-86-14 封装。

Jantxv2N6987/TR

Microchip / Microsemi · 封装:TO-116-14

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Quad、最大集电极-发射极电压(VCEO) 60 V、集电极-基极电压(VCBO) 60 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V,采用 TO-116-14 封装。

2N6988/TR

Microchip / Microsemi · 封装:TO-86-14

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Quad、最大集电极-发射极电压(VCEO) 60 V、集电极-基极电压(VCBO) 60 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V,采用 TO-86-14 封装。

JANTX2N4957/TR

Microchip / Microsemi · 封装:TO-72-3

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) - 30 V、集电极-基极电压(VCBO) - 30 V、发射极-基极电压(VEBO) - 3 V,采用 TO-72-3 封装。

JANTXV2N4237

Microchip / Microsemi · 封装:SMD/SMT

该型号为晶体管,采用 SMD/SMT 封装。

Jan2N6990/TR

Microchip / Microsemi · 封装:TO-86-14

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Quad、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V、集电极-基极电压(VCBO) 75 V、发射极-基极电压(VEBO) 6 V,采用 TO-86-14 封装。

JAN2N2919U

Microchip / Microsemi · 封装:SMD/SMT

该型号为晶体管,采用 SMD/SMT 封装。

Jan2N6988/TR

Microchip / Microsemi · 封装:TO-86-14

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Quad、最大集电极-发射极电压(VCEO) 60 V、集电极-基极电压(VCBO) 60 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V,采用 TO-86-14 封装。

Jantx2N4238

Microchip / Microsemi · 封装:Through Hole

该型号为晶体管,采用 Through Hole 封装。

2N3838/TR

Microchip / Microsemi · 封装:Flatpack-6

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极-发射极电压(VCEO) 40 V、集电极-基极电压(VCBO) 60 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V,采用 Flatpack-6 封装。

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

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