2N336/TR
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。Microchip / Microsemi · 封装:LCC-6
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极-发射极电压(VCEO) 40 V、集电极-基极电压(VCBO) 75 V、发射极-基极电压(VEBO) 6 V,采用 LCC-6 封装。Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。Microchip / Microsemi · 封装:Si
该型号为晶体管,采用 Si 封装。Microchip / Microsemi · 封装:TO-116-14
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Quad、最大集电极-发射极电压(VCEO) 60 V、集电极-基极电压(VCBO) 60 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V,采用 TO-116-14 封装。Microchip / Microsemi · 封装:TO-86-14
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Quad、最大集电极-发射极电压(VCEO) 60 V、集电极-基极电压(VCBO) 60 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V,采用 TO-86-14 封装。Microchip / Microsemi · 封装:TO-116-14
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Quad、最大集电极-发射极电压(VCEO) 60 V、集电极-基极电压(VCBO) 60 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V,采用 TO-116-14 封装。Microchip / Microsemi · 封装:TO-86-14
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Quad、最大集电极-发射极电压(VCEO) 60 V、集电极-基极电压(VCBO) 60 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V,采用 TO-86-14 封装。Microchip / Microsemi · 封装:TO-72-3
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) - 30 V、集电极-基极电压(VCBO) - 30 V、发射极-基极电压(VEBO) - 3 V,采用 TO-72-3 封装。Microchip / Microsemi · 封装:SMD/SMT
该型号为晶体管,采用 SMD/SMT 封装。Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。Microchip / Microsemi · 封装:TO-86-14
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Quad、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V、集电极-基极电压(VCBO) 75 V、发射极-基极电压(VEBO) 6 V,采用 TO-86-14 封装。Microchip / Microsemi · 封装:SMD/SMT
该型号为晶体管,采用 SMD/SMT 封装。Microchip / Microsemi · 封装:TO-86-14
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Quad、最大集电极-发射极电压(VCEO) 60 V、集电极-基极电压(VCBO) 60 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V,采用 TO-86-14 封装。Microchip / Microsemi · 封装:Through Hole
该型号为晶体管,采用 Through Hole 封装。Microchip / Microsemi · 封装:Flatpack-6
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极-发射极电压(VCEO) 40 V、集电极-基极电压(VCBO) 60 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V,采用 Flatpack-6 封装。Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。