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199,570 条型号记录
每页 20 条

Jans2N6987/TR

Microchip / Microsemi · 封装：TO-116-14

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Quad、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-116-14 封装。
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Jantxv2N2060L/TR

Microchip / Microsemi · 封装：TO-78-6

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-78-6 封装。
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JANS2N3019/TR

Microchip / Microsemi · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 140 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-39-3 封装。
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Jantx2N2060/TR

Microchip / Microsemi · 封装：TO-78-6

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-78-6 封装。
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JANS2N2905A/TR

Microchip / Microsemi · 封装：TO-205AD-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-205AD-3 封装。
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2N6990/TR

Microchip / Microsemi · 封装：TO-86-14

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Quad、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-86-14 封装。
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JANS2N918/TR

Microchip / Microsemi · 封装：TO-72-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V，采用 TO-72-3 封装。
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2N336T2

Microchip / Microsemi · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，采用 TO-39-3 封装。
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2N5796U/TR

Microchip / Microsemi · 封装：LCC-6

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 LCC-6 封装。
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