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199,570 条型号记录
每页 20 条

2N2946AUB/TR

Microchip / Microsemi · 封装：SMD-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 40 V、集电极－基极电压（VCBO） - 40 V、发射极－基极电压（VEBO） - 40 V，采用 SMD-3 封装。
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JANS2N3501/TR

Microchip / Microsemi · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 150 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-39-3 封装。
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Jan2N6987/TR

Microchip / Microsemi · 封装：TO-116-14

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Quad、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-116-14 封装。
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JANS2N2905AL/TR

Microchip / Microsemi · 封装：TO-5-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-5-3 封装。
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CMPT5086 TR TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V，采用 SOT-23-3 封装。
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Jan2N4854/TR

Microchip / Microsemi · 封装：TO-78-6

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-78-6 封装。
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JANTX2N2880/TR

Microchip / Microsemi · 封装：TO-59-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 110 V、发射极－基极电压（VEBO） 8 V，采用 TO-59-3 封装。
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JAN2N2880

Microchip / Microsemi · 封装：Si

该型号为晶体管，采用 Si 封装。
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Jantx2N3998

Microchip / Microsemi · 封装：Si

该型号为晶体管，采用 Si 封装。
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JANTXV2N5154U3/TR

Microchip / Microsemi · 封装：SMD-0.5-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5.5 V，采用 SMD-0.5-3 封装。
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JANSR2N2369AUBC

Microchip / Microsemi · 封装：Quote

该型号为晶体管，采用 Quote 封装。
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