JANTXV2N2221AL/TR
Microchip / Microsemi · 封装：TO-206AA-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-206AA-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录Jan2N3499L
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。JANTXV2N2906AL
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。2N4261/TR
Microchip / Microsemi · 封装：TO-72-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 15 V、集电极－基极电压（VCBO） - 15 V、发射极－基极电压（VEBO） - 4.5 V，采用 TO-72-3 封装。Jantxv2N2906A/TR
Microchip / Microsemi · 封装：TO-206AA-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-206AA-3 封装。JANTXV2N918/TR
Microchip / Microsemi · 封装：TO-72-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V，采用 TO-72-3 封装。Jan2N2907AUB/TR
Microchip / Microsemi · 封装：LCC-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 LCC-3 封装。2N1717S
Microchip / Microsemi · 封装：TO-5-3
该型号为晶体管，采用 TO-5-3 封装。2N2484/TR
Microchip / Microsemi · 封装：TO-206AA-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-206AA-3 封装。Jan2N2221AUA/TR
Microchip / Microsemi · 封装：LCC-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 LCC-4 封装。Jantxv2N5153/TR
Microchip / Microsemi · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5.5 V，采用 TO-39-3 封装。JAN2N3637UB/TR
Microchip / Microsemi · 封装：LCC-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 175 V、集电极－基极电压（VCBO） 175 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 LCC-3 封装。JAN2N3960
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。2N3810L/TR
Microchip / Microsemi · 封装：TO-78-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-78-6 封装。Jantxv2N3637L/TR
Microchip / Microsemi · 封装：TO-5-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 175 V、集电极－基极电压（VCBO） 175 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-5-3 封装。JANTX2N3498L/TR
Microchip / Microsemi · 封装：TO-5-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-5-3 封装。2N3810A/TR
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。Jantx2N3499L/TR
Microchip / Microsemi · 封装：TO-5-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-5-3 封装。2N2432UB
Microchip / Microsemi · 封装：TO-18-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、集电极－发射极饱和电压 0.15 mV，采用 TO-18-3 封装。JANTX2N3500L/TR
Microchip / Microsemi · 封装：TO-5-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 150 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-5-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。