Jantx2N2060L/TR
Microchip / Microsemi · 封装：TO-78-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-78-6 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录JANS2N3810L/TR
Microchip / Microsemi · 封装：TO-78-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-78-6 封装。JANSR2N5153/TR
Microchip / Microsemi · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5.5 V，采用 TO-39-3 封装。2N335T2
Microchip / Microsemi · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，采用 TO-39-3 封装。2N333AT2
Microchip / Microsemi · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，采用 TO-39-3 封装。2N335LT2
Microchip / Microsemi · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，采用 TO-39-3 封装。Jantxv2N3810/TR
Microchip / Microsemi · 封装：TO-78-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-78-6 封装。JANTXV2N4239
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。2N333ALT2
Microchip / Microsemi · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，采用 TO-39-3 封装。Jan2N6308
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。JANS2N2484UBC
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。Jan2N2060L/TR
Microchip / Microsemi · 封装：TO-78-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-78-6 封装。JANTXV2N4238
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。Jantxv2N3810U/TR
Microchip / Microsemi · 封装：LCC-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 LCC-6 封装。2N2369AU/TR
Microchip / Microsemi · 封装：LCC-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 4.5 V，采用 LCC-6 封装。CMBT4401
Rectron · 封装：BJTs - Bipolar Transistors
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN，采用 BJTs - Bipolar Transistors 封装。CMBT2907A-T
Rectron · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1.6 V，采用 SOT-23-3 封装。Jan2N7369
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。Jantx2N2218AL/TR
Microchip / Microsemi · 封装：TO-5-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-5-3 封装。Jantx2N4033/TR
Microchip / Microsemi · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-39-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。