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199,570 条型号记录
每页 20 条

2N2904A/TR

Microchip / Microsemi · 封装：TO-205AD-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-205AD-3 封装。
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2N3019S/TR

Microchip / Microsemi · 封装：TO-5-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 140 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-5-3 封装。
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2SA2154CT-Y(TPL3)

Toshiba · 封装：FSM-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、增益带宽积（fT） 80 MHz，采用 FSM-3 封装。
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2N6989U/TR

Microchip / Microsemi · 封装：LCC-20

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Quad、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 LCC-20 封装。
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Jantx2N6674

Microchip / Microsemi

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。
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