Jantx2N2218/TR
Microchip / Microsemi · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-39-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录2N4854U/TR
Microchip / Microsemi · 封装：U-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 U-6 封装。2N3500/TR
Microchip / Microsemi · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 150 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-39-3 封装。JANTXV2N5238S
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。Jan2N3810L/TR
Microchip / Microsemi · 封装：TO-78-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-78-6 封装。JAN2N4261
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。JANTXV2N3866A
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。Jan2N2907AUA/TR
Microchip / Microsemi · 封装：LCC-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 LCC-4 封装。Jantx2N3499L
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。Jantx2N3420S
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。Jantx2N3419S
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。2N3501UB/TR
Microchip / Microsemi · 封装：LCC-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 150 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 LCC-3 封装。JANTX2N3506AL
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。Jantxv2N2904AL
Microchip / Microsemi · 封装：Si
该型号为晶体管，采用 Si 封装。2N930UB
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。JANTXV2N3439L
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。Jantxv2N3506
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。JAN2N3501UB/TR
Microchip / Microsemi · 封装：LCC-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 150 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 LCC-3 封装。Jan2N5581
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。Jantxv2N5415S
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。