CMBTA92
Rectron
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录JANTXV2N918UB
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。JAN2N4261UB
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。JANTXV2N5681
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。JANTXV2N5679
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。Jantxv2N6675
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。Jan2N6675
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。Jantxv2N2060L
Microchip / Microsemi · 封装：Si
该型号为晶体管，采用 Si 封装。Jan2N3507L
Microchip / Microsemi · 封装：Through Hole
该型号为晶体管，采用 Through Hole 封装。JAN2N2904/TR
Microchip / Microsemi · 封装：TO-205AD-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-205AD-3 封装。2N2904AL/TR
Microchip / Microsemi · 封装：TO-5-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-5-3 封装。2N4449/TR
Microchip / Microsemi · 封装：TO-46-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 6 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-46-3 封装。2N3506AL
Microchip / Microsemi · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，采用 TO-39-3 封装。Jan2N2218AL/TR
Microchip / Microsemi · 封装：TO-5-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-5-3 封装。Jantx2N3019S/TR
Microchip / Microsemi · 封装：TO-5-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 140 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-5-3 封装。Jan2N3485A
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。2N2219Ae4
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。2N2218A/TR
Microchip / Microsemi · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-39-3 封装。2N2906AUB/TR
Microchip / Microsemi · 封装：LCC-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 LCC-3 封装。2N3057A/TR
Microchip / Microsemi · 封装：TO-46-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 140 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-46-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。