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型号列表

199,570 条型号记录
每页 20 条

Jan2N3019/TR

Microchip / Microsemi · 封装:TO-39-3

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 80 V、集电极-基极电压(VCBO) 140 V、发射极-基极电压(VEBO) 7 V,采用 TO-39-3 封装。

2N2369A/TR

Microchip / Microsemi · 封装:TO-206AA-3

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 15 V、集电极-基极电压(VCBO) 40 V、发射极-基极电压(VEBO) 4.5 V,采用 TO-206AA-3 封装。

2N2907A/TR

Microchip / Microsemi · 封装:TO-206AA-3

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 60 V、集电极-基极电压(VCBO) 60 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V,采用 TO-206AA-3 封装。

2N3724L

Microchip / Microsemi · 封装:TO-5-3

该型号为晶体管,采用 TO-5-3 封装。

2N3810/TR

Microchip / Microsemi · 封装:TO-78-6

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极-发射极电压(VCEO) 60 V、集电极-基极电压(VCBO) 60 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V,采用 TO-78-6 封装。

Jan2N3500

Microchip / Microsemi · 封装:Si

该型号为晶体管,采用 Si 封装。

Jan2N4033/TR

Microchip / Microsemi · 封装:TO-39-3

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 80 V、集电极-基极电压(VCBO) 80 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V,采用 TO-39-3 封装。

2N5582/TR

Microchip / Microsemi · 封装:TO-46-3

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V、集电极-基极电压(VCBO) 75 V、发射极-基极电压(VEBO) 6 V,采用 TO-46-3 封装。

Jantx2N2904AL/TR

Microchip / Microsemi · 封装:TO-5-3

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 60 V、集电极-基极电压(VCBO) 60 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V,采用 TO-5-3 封装。

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

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