ChipSourceHub 美芯科技
English发起询盘

分立与功率器件

按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。

型号列表

199,570 条型号记录
每页 20 条

CMBTA13

Rectron · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、集电极－发射极饱和电压 1.5 V，采用 SOT-23-3 封装。
查看资料 询价

CM4957

Central Semiconductor · 封装：TO-72-4

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V，采用 TO-72-4 封装。
查看资料 询价

Jantxv2N6676

Microchip / Microsemi

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。
查看资料 询价

2N2605UB

Microchip / Microsemi · 封装：TO-46-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 70 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-46-3 封装。
查看资料 询价

2N336ALT2

Microchip / Microsemi · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，采用 TO-39-3 封装。
查看资料 询价

2N1702

Microchip / Microsemi · 封装：TO-3

该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.225789 oz，采用 TO-3 封装。
查看资料 询价

2SC4207-GR(TE85L,F

Toshiba · 封装：SOT-353-5

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.15 A，采用 SOT-353-5 封装。
查看资料 询价

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

芯片型号库｜技术参数与数据手册｜ChipSourceHub 美芯科技