Jan2N2218AL
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录JAN2N2221AL
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。2N3700UB/TR
Microchip / Microsemi · 封装：LCC-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 140 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 LCC-3 封装。HS2222A
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。Jantx2N1131
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。2N3735L/TR
Microchip / Microsemi · 封装：TO-5-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-5-3 封装。JANS2N6989/TR
Microchip / Microsemi · 封装：TO-116-14
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Quad、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-116-14 封装。2N2432/TR
Microchip / Microsemi · 封装：TO-206AA-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、集电极－发射极饱和电压 0.15 mV，采用 TO-206AA-3 封装。Jantxv2N6308
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。2N333T2
Microchip / Microsemi · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，采用 TO-39-3 封装。2N333LT2
Microchip / Microsemi · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，采用 TO-39-3 封装。Jantxv2N6989/TR
Microchip / Microsemi · 封装：TO-116-14
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Quad、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-116-14 封装。2SA1586-GR(T5L,F,T
Toshiba · 封装：USM-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、最大直流集电极电流 0.15 A，采用 USM-3 封装。2N6987U
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。Jantxv2N4236
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。JANTXV2N3866UB
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。Jantx2N4239
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。JANTXV2N5109UB
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。CMBT8099
Rectron · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN，采用 SOT-23-3 封装。MPSA92-T
Rectron · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、连续集电极电流 0.5 A、单件重量 0.016000 oz，采用 TO-92-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。